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閃存恢復(fù)

優(yōu)盤數(shù)據(jù)恢復(fù)之NAND閃存閃存恢復(fù)中的二進(jìn)制模式查看

時(shí)間:2018/11/17 12:50:03   作者:成都數(shù)據(jù)恢復(fù)中心   來(lái)源:本站原創(chuàng)   閱讀:3217   評(píng)論:0
內(nèi)容摘要:在NAND閃存和二進(jìn)制模式識(shí)別分析是芯片數(shù)據(jù)恢復(fù)和破碎的閃存設(shè)備的數(shù)字取證分析的關(guān)鍵步驟。這個(gè)分析是在位圖模式中進(jìn)行,由于經(jīng)典的進(jìn)制視圖不允許微量的二進(jìn)制模式。顯示位圖模式模式是正確的,正確的頁(yè)面大小應(yīng)設(shè)置。NAND的物理圖像包含以下可識(shí)別模式數(shù)據(jù)區(qū)模式炒(異或)數(shù)據(jù)區(qū)模式備用區(qū)模式ECC模式比特錯(cuò)誤模式壞柱模式其他模...

在NAND閃存和二進(jìn)制模式識(shí)別分析是芯片數(shù)據(jù)恢復(fù)和破碎的閃存設(shè)備的數(shù)字取證分析的關(guān)鍵步驟。這個(gè)分析是在位圖模式中進(jìn)行,由于經(jīng)典的進(jìn)制視圖不允許微量的二進(jìn)制模式。顯示位圖模式模式是正確的,正確的頁(yè)面大小應(yīng)設(shè)置。

NAND的物理圖像包含以下可識(shí)別模式
  • 數(shù)據(jù)區(qū)模式
  • 炒(異或)數(shù)據(jù)區(qū)模式
  • 備用區(qū)模式
  • ECC模式
  • 比特錯(cuò)誤模式
  • 壞柱模式
  • 其他模式

數(shù)據(jù)區(qū)

 

數(shù)據(jù)已經(jīng)安靜的高密度(熵)和橫向模式,像條紋,立方體,等下面的圖片代表數(shù)據(jù)行業(yè)的典型模式(數(shù)據(jù)區(qū))內(nèi)頁(yè)。數(shù)據(jù)區(qū)是灰色強(qiáng)調(diào)。

優(yōu)盤數(shù)據(jù)恢復(fù)之NAND閃存閃存恢復(fù)中的二進(jìn)制模式查看
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對(duì)數(shù)據(jù)模式的橫向邊界的確定有助于確定頁(yè)面結(jié)構(gòu)。

炒(異或)數(shù)據(jù)

 

炒(異或)數(shù)據(jù)沒(méi)有典型數(shù)據(jù)模式。它看起來(lái)像一個(gè)密度非常高的噪聲(白噪聲熵)。

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然而,當(dāng)加擾數(shù)據(jù)區(qū)包含零點(diǎn)進(jìn)行的,有非常具體的模式中出現(xiàn)的噪聲,屬于異或關(guān)鍵片段。所以,任何模式的加密數(shù)據(jù)區(qū),不看起來(lái)像一個(gè)噪音異或關(guān)鍵片段。
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Search of blocks with a large number of scrambled zeros (fragments of XOR key) is needed to determine the page structure and also to find a proper XOR key to decrypt data. The library of XOR patterns of different controllers is 在這里。

備用區(qū)

 

Spare area consists of bytes that define position, type and other parameters of physical blocks, ECC and others. In general, Spare area consists of following patterns

  • LBN
  • LPN
  • ECC
  • 銀行號(hào)碼
  • 寫(xiě)計(jì)數(shù)器
備用區(qū)模式代表了垂直條紋,定期從塊到塊的變化。

LBN

 

邏輯塊號(hào)模式有2個(gè)字節(jié)(8位)的大小,從塊到塊。在下面的圖片代表

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在寬帶模式改變?yōu)樘摂M塊邊界的地方。
的寬帶模式和它的偏移識(shí)別本質(zhì)上是塊排列成邏輯圖像(標(biāo)記表元素的設(shè)置)。

LPN

 

邏輯頁(yè)號(hào)模式有1或2個(gè)字節(jié)的大小和被篡改的頁(yè)面在虛擬塊。在下面的圖片代表

優(yōu)盤數(shù)據(jù)恢復(fù)之NAND閃存閃存恢復(fù)中的二進(jìn)制模式查看
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LPN模式及其偏差識(shí)別本質(zhì)上是塊排列成邏輯圖像(標(biāo)記表元素的設(shè)置)。90%以上的控制器不在塊中使用的LPN由于連續(xù)的頁(yè)分配。

 

塊標(biāo)頭模式有1字節(jié)大小和被改變的很少,因?yàn)樵贜AND 95-99%的所有塊用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)(主要街區(qū))和具有相同的標(biāo)題。在下面的圖片代表

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標(biāo)題模式和它的偏移識(shí)別本質(zhì)上是塊過(guò)濾和分類翻譯表建立的邏輯圖像時(shí)(標(biāo)記表元素的設(shè)置)。

ECC

 

ECC的地區(qū)有很高的密度(熵)。它看起來(lái)像噪聲和無(wú)模式。有時(shí),ECC碼有一個(gè)空字節(jié)(FF)最后,像柱。

優(yōu)盤數(shù)據(jù)恢復(fù)之NAND閃存閃存恢復(fù)中的二進(jìn)制模式查看
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The ECC pattern and it’s offset identification is essential for page structure analysis. ECC面積大小的測(cè)定有助于發(fā)現(xiàn)ECC解碼器手動(dòng)如果自動(dòng)分析不工作。每個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)域(512或1024字節(jié))有它自己的ECC區(qū)。

銀行號(hào)碼

 

銀行號(hào)碼模式1字節(jié)大小和被改變的很少,因?yàn)殂y行的數(shù)目是由2/4 / 8/16有限。在下面的圖片代表

優(yōu)盤數(shù)據(jù)恢復(fù)之NAND閃存閃存恢復(fù)中的二進(jìn)制模式查看
銀行的數(shù)字模式和它的偏移識(shí)別本質(zhì)上是塊過(guò)濾和分類翻譯表建立的邏輯圖像時(shí)(標(biāo)記表元素的設(shè)置)。90%以上的控制器不使用銀行的數(shù)量由于在物理圖像序列銀行配置。

寫(xiě)計(jì)數(shù)器

 

寫(xiě)反模式有1字節(jié)大小和從塊到塊。它可能感興趣的數(shù)字取證的目的。

比特錯(cuò)誤

 

誤碼圖案看起來(lái)像“壞像素的形式污染”。在頁(yè)面點(diǎn)誤差估計(jì)數(shù)據(jù)是困難的地區(qū),特別是如果數(shù)據(jù)加密。然而,他們?cè)趥溆脜^(qū)清晰可見(jiàn)。

優(yōu)盤數(shù)據(jù)恢復(fù)之NAND閃存閃存恢復(fù)中的二進(jìn)制模式查看
The distribution of bit errors is random. A visual evaluation of number of bit errors  helps to determine if power adjustment is needed. Detailed description of bit errors and its minimization can be found in 這篇文章。

壞列

 

壞列模式的出現(xiàn),與2或1個(gè)字節(jié)寬度的垂直柱。他們通常填充FFFF,0000,或任何其他的價(jià)值。

優(yōu)盤數(shù)據(jù)恢復(fù)之NAND閃存閃存恢復(fù)中的二進(jìn)制模式查看
壞列模式和它的偏移識(shí)別本質(zhì)上是制造缺陷去除物理圖像。壞柱去除過(guò)程的詳細(xì)描述中可以找到這篇文章。

標(biāo)簽:優(yōu)盤 數(shù)據(jù) 恢復(fù) 閃存 中的 
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